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IGBT-Transistoren

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Modul IGBT Transistor/Transistor,gemeinsamer Emitter IGBT x2

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Code: TMEFF200R12KT3E
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES

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Modul IGBT Transistor/Transistor,gemeinsamer Emitter IGBT x2 - Produkt beschreibung

HerstellerINFINEON TECHNOLOGIES
Modul-TypIGBT
Struktur des Halbleitersgemeinsamer Emitter
Struktur des HalbleitersTransistor/Transistor
TopologieIGBT x2
Rückspannung max.1.2kV
Kollektor-Emitter-Strom200A
GehäuseAG-62MM-1
Elektrische Montageschraubbar
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls400A
Verlustleistung1.05kW
Mechanische Montageschraubbar