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GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » IGBT-Module
Modul IGBT Transistor/Transistor,gemeinsamer Emitter IGBT x2
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMEFF300R12KT3E |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | INFINEON TECHNOLOGIES |
Produkt beschreibung
Modul IGBT Transistor/Transistor,gemeinsamer Emitter IGBT x2 - Produkt beschreibung
| Hersteller | INFINEON TECHNOLOGIES |
|---|---|
| Modul-Typ | IGBT |
| Struktur des Halbleiters | gemeinsamer Emitter |
| Struktur des Halbleiters | Transistor/Transistor |
| Topologie | IGBT x2 |
| Rückspannung max. | 1.2kV |
| Kollektor-Emitter-Strom | 300A |
| Gehäuse | AG-62MM-1 |
| Elektrische Montage | schraubbar |
| Elektrische Montage | Steckverbinder FASTON |
| Gate - Emitter Spannung | ±20V |
| Kollektorstrom im Impuls | 600A |
| Verlustleistung | 1.45kW |
| Mechanische Montage | schraubbar |