Inhalt Warenkorb

Inhalt Warenkorb

Einloggen in Shop

IGBT-Transistoren

IGBT-Transistoren

GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » IGBT-Transistoren


Modul IGBT Diode/Transistor boost chopper Urmax 1,7kV

Strichcode:
Code: TMESKM200GAL17E4
Packen:
Mindestabnahme: 1
Einheiten auf Lager 26 Menge
Hersteller: SEMIKRON

Menge


Versandkosten


€126.8 Preis ohne Mehrwertsteuer

Wählen Sie das Transport (Preis inkl. transportieren)

Modul IGBT Diode/Transistor boost chopper Urmax 1,7kV - Produkt beschreibung

HerstellerSEMIKRON
Modul-TypIGBT
Struktur des HalbleitersDiode/Transistor
Topologieboost chopper
Rückspannung max.1.7kV
Kollektor-Emitter-Strom248A
GehäuseSEMITRANS3
AnwendungFrequenzwandler
AnwendungWechselrichter
Elektrische Montageschraubbar
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls1170A
Mechanische Montageschraubbar