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MOSFET-Transistormodule

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Modul einzelner Transistor -600V -32A SOT227B Ugs ±30V 890W

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Code: TMEIXTN32P60P
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Hersteller: IXYS

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Modul einzelner Transistor -600V -32A SOT227B Ugs ±30V 890W - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiterseinzelner Transistor
Drain-Source Spannung-600V
Drainstrom-32A
GehäuseSOT227B
Elektrische Montageschraubbar
Polarisierungunipolar
Widerstand im Leitungszustand350mΩ
Drainstrom im Impuls-96A
Verlustleistung890W
TechnologiePolarP™
Kanal-Artstark
Gate-Ladung196nC
Bereitschaftszeit480ns
Gate-Source Spannung±30V
Mechanische Montageschraubbar