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MOSFET-Transistormodule

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Modul einzelner Transistor -200V -106A SOT227B Ugs ±15V 830W

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Code: TMEIXTN120P20T
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Hersteller: IXYS

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Modul einzelner Transistor -200V -106A SOT227B Ugs ±15V 830W - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiterseinzelner Transistor
Drain-Source Spannung-200V
Drainstrom-106A
GehäuseSOT227B
Elektrische Montageschraubbar
Polarisierungunipolar
Widerstand im Leitungszustand30mΩ
Drainstrom im Impuls-400A
Verlustleistung830W
TechnologieTrenchP™
Kanal-Artstark
Gate-Ladung740nC
Bereitschaftszeit300ns
Gate-Source Spannung±15V
Mechanische Montageschraubbar