GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Integrierte Schaltkreise » Analoge und kombinierte Schaltkreise » MOSFET/IGBT-Treiber
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
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| Strichcode: | |
| Code: | TMEIR2010SPBF |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1980 |
| Hersteller: | INFINEON (IRF) |
Driver high-/low-side,Steuerung für Gates -3÷3A 1,25W SO16 - Produkt beschreibung
| Hersteller | Infineon (IRF) |
|---|---|
| Integrierten Schaltkreises-Typ | driver |
| Eigenschafte integrierter Schaltkreise | integrated bootstrap functionality |
| Eigenschafte integrierter Schaltkreise | Ladungspumpe |
| Eigenschafte integrierter Schaltkreise | Totzeit |
| Integrierten Schaltkreises-Art | high-/low-side |
| Integrierten Schaltkreises-Art | Steuerung für Gates |
| Ausgangsstrom | -3...3A |
| Leistung | 1.25W |
| Anzahl Kanäle | 2 |
| Montage | SMD |
| Versorgungsspannung | 10...20V DC |
| Betriebstemperatur | -40...125°C |
| Gehäuse | SO16 |
| Topologie | MOSFET Halbbrücke |
| Verpackungs-Art | Tube |
| Spannungsklasse | 200V |
| Anschaltzeit | 95ns |
| Ausschaltzeit | 65ns |