Inhalt Warenkorb

Inhalt Warenkorb

Einloggen in Shop

IGBT-Module

IGBT-Module

GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » IGBT-Module


Modul IGBT Transistor/Transistor IGBT Halbbrücke Urmax 1,2kV

Einheiten auf Lager i 5 Menge
Strichcode:
Code: TMEFF200R12KE3
Packen:
Mindestabnahme: 1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES

€154.1 (Preis inkl. gesetzl. MwSt.)
€127.36 Preis ohne Mehrwertsteuer

Wählen Sie das Transport (Preis inkl. transportieren)

Menge

Mindestabnahme: 1


Versandkosten

Produkt beschreibung

Modul IGBT Transistor/Transistor IGBT Halbbrücke Urmax 1,2kV - Produkt beschreibung

HerstellerINFINEON TECHNOLOGIES
Modul-TypIGBT
Struktur des HalbleitersTransistor/Transistor
TopologieIGBT Halbbrücke
Rückspannung max.1.2kV
Kollektor-Emitter-Strom200A
GehäuseAG-62MM-1
Elektrische Montageschraubbar
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls400A
Verlustleistung1.05kW
Mechanische Montageschraubbar