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GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
Modul Diode/Transistor 1,2kV 23A SP1 Ugs ±30V Press-in PCB
| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPTM120DA30T1G |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 15 |
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
|---|---|
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul Diode/Transistor 1,2kV 23A SP1 Ugs ±30V Press-in PCB - Produkt beschreibung
Hersteller MICROCHIP (MICROSEMI) Modul-Typ Bipolartransistor, MOSFET Struktur des Halbleiters Diode/Transistor Drain-Source Spannung 1.2kV Drainstrom 23A Gehäuse SP1 Topologie boost chopper Topologie NTC Thermistor Elektrische Montage Press-in PCB Widerstand im Leitungszustand 360mΩ Drainstrom im Impuls 195A Verlustleistung 657W Technologie POWER MOS 8® Gate-Source Spannung ±30V Mechanische Montage schraubbar