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MOSFET-Transistormodule

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Modul Diode/Transistor 100V 207A SP6C Ugs ±30V Idm 1100A

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Code: TMEAPTM10DHM05G
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Modul Diode/Transistor 100V 207A SP6C Ugs ±30V Idm 1100A - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des HalbleitersDiode/Transistor
Drain-Source Spannung100V
Drainstrom207A
GehäuseSP6C
Topologieasymmetrische Brücke
Elektrische Montageschraubbar
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand5mΩ
Drainstrom im Impuls1100A
Verlustleistung780W
TechnologiePOWER MOS 5®
Gate-Source Spannung±30V
Mechanische Montageschraubbar