GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
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| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPTM100H45STG |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 7 |
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul Diode/Transistor 1kV 14A SP4 Ugs ±30V Idm 72A 357W - Produkt beschreibung
| Hersteller | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Modul-Typ | Bipolartransistor, MOSFET |
| Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor |
| Drain-Source Spannung | 1kV |
| Drainstrom | 14A |
| Gehäuse | SP4 |
| Topologie | H-Brücke + Paralleldioden + Reihendioden |
| Topologie | NTC Thermistor |
| Elektrische Montage | schraubbar |
| Elektrische Montage | Steckverbinder FASTON |
| Widerstand im Leitungszustand | 540mΩ |
| Drainstrom im Impuls | 72A |
| Verlustleistung | 357W |
| Technologie | POWER MOS 7® |
| Gate-Source Spannung | ±30V |
| Mechanische Montage | schraubbar |