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GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
Modul Diode/Transistor 1kV 27A SP4 Ugs ±30V Idm 144A 694W
| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPTM100A23STG |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 7 |
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
|---|---|
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul Diode/Transistor 1kV 27A SP4 Ugs ±30V Idm 144A 694W - Produkt beschreibung
Hersteller MICROCHIP (MICROSEMI) Modul-Typ Bipolartransistor, MOSFET Struktur des Halbleiters Diode/Transistor Drain-Source Spannung 1kV Drainstrom 27A Gehäuse SP4 Topologie Halbbrücke MOSFET + Reihendioden + Paralleldioden Topologie NTC Thermistor Elektrische Montage schraubbar Elektrische Montage Steckverbinder FASTON Widerstand im Leitungszustand 270mΩ Drainstrom im Impuls 144A Verlustleistung 694W Technologie POWER MOS 7® Gate-Source Spannung ±30V Mechanische Montage schraubbar