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MOSFET-Transistormodule

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Modul Diode/Transistor 1kV 33A SP4 Ugs ±30V Idm 172A 780W

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Code: TMEAPTM100DA18TG
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Modul Diode/Transistor 1kV 33A SP4 Ugs ±30V Idm 172A 780W - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des HalbleitersDiode/Transistor
Drain-Source Spannung1kV
Drainstrom33A
GehäuseSP4
Topologieboost chopper
TopologieNTC Thermistor
Elektrische Montageschraubbar
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand210mΩ
Drainstrom im Impuls172A
Verlustleistung780W
TechnologiePOWER MOS 7®
Gate-Source Spannung±30V
Mechanische Montageschraubbar