GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPTM100A13SG |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
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| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul Diode/Transistor 1kV 49A SP6C Ugs ±30V Idm 240A 1,25kW - Produkt beschreibung
Hersteller MICROCHIP (MICROSEMI) Modul-Typ Bipolartransistor, MOSFET Struktur des Halbleiters Diode/Transistor Drain-Source Spannung 1kV Drainstrom 49A Gehäuse SP6C Topologie Halbbrücke MOSFET + Reihendioden + Paralleldioden Elektrische Montage schraubbar Elektrische Montage Steckverbinder FASTON Widerstand im Leitungszustand 156mΩ Drainstrom im Impuls 240A Verlustleistung 1.25kW Technologie POWER MOS 7® Gate-Source Spannung ±30V Mechanische Montage schraubbar