Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET


Модуль диод/транзистор 1кВ 49А SP6C Ugs ±30В Idm 240А

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Штрихкод:
Код товара: TMEAPTM100A13DG
Упаковка:
Mindestabnahme: 5
Производитель: MICROCHIP (MICROSEMI)

€309.5 (Цена с НДС)
€255.8 Цена без НДС

Wählen Sie das Transport (Цена вкл. транспортировку)

Оптовые цены

Количество 5+ ks Более
Цена/шт. €255.77 Цена по запросу

Количество

Mindestabnahme: 5


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль диод/транзистор 1кВ 49А SP6C Ugs ±30В Idm 240А - Описание товара

ПроизводительMICROCHIP (MICROSEMI)
Тип модуляполевой МОП-транзистор
Конструкция диодадиод/транзистор
Напряжение сток-исток1кВ
Ток стока49А
КорпусSP6C
Топологияполумост MOSFET + последовательные диоды
Электрический монтажвинтами
Электрический монтажконнекторы FASTON
Сопротивление в открытом состоянии156мОм
Ток стока в импульсном режиме240А
Рассеиваемая мощность1,25кВт
ТехнологияPOWER MOS 7®
Напряжение затвор-исток±30В
Механический монтажвинтами