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MOSFET-Transistormodule

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Modul Diode/Transistor 200V 237A SP6C Ugs ±30V Idm 1268A

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Code: TMEAPTM20DAM05G
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Mindestabnahme: 6
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Modul Diode/Transistor 200V 237A SP6C Ugs ±30V Idm 1268A - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des HalbleitersDiode/Transistor
Drain-Source Spannung200V
Drainstrom237A
GehäuseSP6C
Topologieboost chopper
Elektrische Montageschraubbar
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand6mΩ
Drainstrom im Impuls1268A
Verlustleistung1136W
TechnologiePOWER MOS 7®
Gate-Source Spannung±30V
Mechanische Montageschraubbar