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MOSFET-Transistormodule

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Modul Diode/Transistor 200V 434A SP6C Ugs ±30V Idm 2320A

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Code: TMEAPTM20UM03FAG
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Modul Diode/Transistor 200V 434A SP6C Ugs ±30V Idm 2320A - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des HalbleitersDiode/Transistor
Drain-Source Spannung200V
Drainstrom434A
GehäuseSP6C
Topologieeinzelner Transistor + Reihendiode + Paralleldiode
Elektrische Montageschraubbar
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand3.6mΩ
Drainstrom im Impuls2320A
Verlustleistung2.27kW
TechnologieFREDFET
TechnologiePOWER MOS 7®
Gate-Source Spannung±30V
Mechanische Montageschraubbar