- Batterien und Akkumulatoren
- Stromversorgungen
- Kabel und Steckverbinder
- Solartechnik
- Reduktoren und Konverter
- Werkzeuge, Werkzeug
- GSM-Verstärker
- Sicherheitstechnik
- Mobiles Zubehör
- Computerzubehör
-
Elektronische Komponenten
- Widerstände
- Kondensatoren
- Induktivitäten-Drosseln
- Komponenten zur Herstellung von Spulen
- Kristalle, Oszillatoren, Resonatoren
- Frequenzfilter
- Stifte, Ösen, Hülsen
- Sicherungen, Überspannungsschutz
- Transformatoren
- Dioden, Gleichrichterbrücken
- Transistoren
- Thyristoren, Triacs, Diacs
- Integrierte Schaltkreise
- Sensoren für nichtelektrische Größen
- Optoelektronische Bauelemente
- Displays, Touchscreens
- Akustische Wandler, Lautsprecher
- Ventilatoren
- Kühler, Peltier-Elemente
- Motoren, Servomechanismen
- Relais, Schütze und magnetische Kontakte
- Mechanische Schaltelemente
- Steckverbinder, Reduzierstücke
- Klemmleiste
- Leiter und Kabel
- Mechanische Konstruktionskomponenten
- Konstruktionsboxen und -kästen
- Zweckgebundene Konstruktionsmodule
- Programmiergeräte, EPROM-Löschgeräte
- Diskrete Halbleitermodule
- Zubehör für Halbleiter
- Hochspannungsgeneratoren
- Kühl- und Heizsysteme
- Krab. für Versorgungseinr. und Sensoren.
- Encoder
- Komponenten für EMI/EMC
- Einplatinencomputer
- Zubehör für Embedded-Systeme.
- Elektroinstallations material
- Bergbau
- Chemie-Leiterplatten (Leiterplatten mit doppelseitigem Druck)
- Spielzeug, Baukästen
- Messgeräte
- Beleuchtungstechnik
- Zuhause, Büro
- Schutzausrüstung
- Mechanische Elemente
- Automationstechnik
- Robotik
- Die Anderen
- Ausverkauf
Inhalt Warenkorb
GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
Modul Diode/Transistor 200V 66A SP4 Ugs ±30V Idm 356A 357W
| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPTM20HM20STG |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 8 |
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
|---|---|
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul Diode/Transistor 200V 66A SP4 Ugs ±30V Idm 356A 357W - Produkt beschreibung
Hersteller MICROCHIP (MICROSEMI) Modul-Typ Bipolartransistor, MOSFET Struktur des Halbleiters Diode/Transistor Drain-Source Spannung 200V Drainstrom 66A Gehäuse SP4 Topologie H-Brücke + Paralleldioden + Reihendioden Topologie NTC Thermistor Elektrische Montage schraubbar Elektrische Montage Steckverbinder FASTON Widerstand im Leitungszustand 24mΩ Drainstrom im Impuls 356A Verlustleistung 357W Technologie POWER MOS 7® Gate-Source Spannung ±30V Mechanische Montage schraubbar