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» Diskrete Halbleitermodule
» MOSFET-Transistormodule
Modul Diode/Transistor 500V 135A SP6C Ugs ±30V Idm 720A
| Strichcode: |
|
| Code: |
TMEAPTM50DAM17G |
| Packen: |
|
| Mindestabnahme: |
6 |
| Verfügbarkeit |
Nur auf Bestellung
|
| Hersteller: |
MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul Diode/Transistor 500V 135A SP6C Ugs ±30V Idm 720A - Produkt beschreibung
| Hersteller | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|
| Modul-Typ | Bipolartransistor, MOSFET |
|---|
| Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor |
|---|
| Drain-Source Spannung | 500V |
|---|
| Drainstrom | 135A |
|---|
| Gehäuse | SP6C |
|---|
| Topologie | boost chopper |
|---|
| Elektrische Montage | schraubbar |
|---|
| Elektrische Montage | Steckverbinder FASTON |
|---|
| Widerstand im Leitungszustand | 20mΩ |
|---|
| Drainstrom im Impuls | 720A |
|---|
| Verlustleistung | 1.25kW |
|---|
| Technologie | POWER MOS 7® |
|---|
| Gate-Source Spannung | ±30V |
|---|
| Mechanische Montage | schraubbar |
|---|
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