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GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
Modul Diode/Transistor 600V 17A SP3 Ugs ±20V Press-in PCB
| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPTCV60TLM99T3G |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 15 |
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
|---|---|
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul Diode/Transistor 600V 17A SP3 Ugs ±20V Press-in PCB - Produkt beschreibung
Hersteller MICROCHIP (MICROSEMI) Modul-Typ Bipolartransistor, MOSFET/IGBT Struktur des Halbleiters Diode/Transistor Drain-Source Spannung 600V Drainstrom 17A Gehäuse SP3 Topologie 3-Level 1-Phasen Wechselrichter Topologie NTC Thermistor Elektrische Montage Press-in PCB Widerstand im Leitungszustand 99mΩ Drainstrom im Impuls 75A Verlustleistung 110W Technologie Field Stop Technologie SJ-MOSFET Technologie Trench Gate-Source Spannung ±20V Mechanische Montage schraubbar Kollektor-Emitter-Strom 30A