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MOSFET-Transistormodule

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Modul Diode/Transistor 600V 29A SP3 Ugs ±20V Press-in PCB

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Code: TMEAPTCV60TLM70T3G
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Modul Diode/Transistor 600V 29A SP3 Ugs ±20V Press-in PCB - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET/IGBT
Struktur des HalbleitersDiode/Transistor
Drain-Source Spannung600V
Drainstrom29A
GehäuseSP3
Topologie3-Level 1-Phasen Wechselrichter
TopologieNTC Thermistor
Elektrische MontagePress-in PCB
Widerstand im Leitungszustand70mΩ
Drainstrom im Impuls160A
Verlustleistung250W
TechnologieField Stop
TechnologieSJ-MOSFET
TechnologieTrench
Gate-Source Spannung±20V
Mechanische Montageschraubbar
Kollektor-Emitter-Strom50A