GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
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| Strichcode: | |
| Code: | TMEVUM33-06PH |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | IXYS |
Modul Diode/Transistor 600V 50A V1-B-Pack Ugs ±20V 500W - Produkt beschreibung
| Hersteller | IXYS |
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| Modul-Typ | Bipolartransistor, MOSFET |
| Struktur des Halbleiters | Diode/Transistor |
| Drain-Source Spannung | 600V |
| Drainstrom | 50A |
| Gehäuse | V1-B-Pack |
| Topologie | 1-Phasendiodenbrücke |
| Topologie | boost chopper |
| Elektrische Montage | Steckverbinder FASTON |
| Polarisierung | unipolar |
| Widerstand im Leitungszustand | 120mΩ |
| Verlustleistung | 500W |
| Gate-Ladung | 165nC |
| Gate-Source Spannung | ±20V |
| Mechanische Montage | schraubbar |