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MOSFET-Transistormodule

MOSFET-Transistormodule

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Modul Diode/Transistor 600V 50A V1-B-Pack Ugs ±20V 500W

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Code: TMEVUM33-06PH
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Modul Diode/Transistor 600V 50A V1-B-Pack Ugs ±20V 500W - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des HalbleitersDiode/Transistor
Drain-Source Spannung600V
Drainstrom50A
GehäuseV1-B-Pack
Topologie1-Phasendiodenbrücke
Topologieboost chopper
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Polarisierungunipolar
Widerstand im Leitungszustand120mΩ
Verlustleistung500W
Gate-Ladung165nC
Gate-Source Spannung±20V
Mechanische Montageschraubbar