GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET
| Einheiten auf Lager i | 2 Menge |
|---|---|
| Штрихкод: | |
| Код товара: | TMEIXFN40N110Q3 |
| Упаковка: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Производитель: | IXYS |
Модуль одиночный транзистор 1,1кВ 35А SOT227B Ugs ±40В 960Вт - Описание товара
| Производитель | IXYS |
|---|---|
| Тип модуля | полевой МОП-транзистор |
| Конструкция диода | одиночный транзистор |
| Напряжение сток-исток | 1,1кВ |
| Ток стока | 35А |
| Корпус | SOT227B |
| Электрический монтаж | винтами |
| Полярность | полевой |
| Сопротивление в открытом состоянии | 260мОм |
| Ток стока в импульсном режиме | 100А |
| Рассеиваемая мощность | 960Вт |
| Технология | HiPerFET™ |
| Технология | Q3-Class |
| Вид канала | обогащенный |
| Заряд затвора | 300нC |
| Время готовности | 434нс |
| Напряжение затвор-исток | ±40В |
| Механический монтаж | винтами |