Корзина

Корзина

Войти в интернет магазин

транзисторные модули MOSFET

транзисторные модули MOSFET

GSMCentrum.CZ » Электронные компоненты » Дискретные полупроводниковые модули » транзисторные модули MOSFET


Модуль одиночный транзистор 1,1кВ 35А SOT227B Ugs ±40В 960Вт

Einheiten auf Lager i 2 Menge
Штрихкод:
Код товара: TMEIXFN40N110Q3
Упаковка:
Mindestabnahme: 1
Производитель: IXYS

€30.5 (Цена с НДС)
€25.2 Цена без НДС

Wählen Sie das Transport (Цена вкл. транспортировку)

Количество

Mindestabnahme: 1


Стоимость доставки

Описание товара

Модуль одиночный транзистор 1,1кВ 35А SOT227B Ugs ±40В 960Вт - Описание товара

ПроизводительIXYS
Тип модуляполевой МОП-транзистор
Конструкция диодаодиночный транзистор
Напряжение сток-исток1,1кВ
Ток стока35А
КорпусSOT227B
Электрический монтажвинтами
Полярностьполевой
Сопротивление в открытом состоянии260мОм
Ток стока в импульсном режиме100А
Рассеиваемая мощность960Вт
ТехнологияHiPerFET™
ТехнологияQ3-Class
Вид каналаобогащенный
Заряд затвора300нC
Время готовности434нс
Напряжение затвор-исток±40В
Механический монтажвинтами