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GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
Modul einzelner Transistor 1,2kV 12A ISOTOP Ugs ±30V 545W
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPT17F120J |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Produkt beschreibung
Modul einzelner Transistor 1,2kV 12A ISOTOP Ugs ±30V 545W - Produkt beschreibung
| Hersteller | MICROCHIP (MICROSEMI) |
|---|---|
| Modul-Typ | Bipolartransistor, MOSFET |
| Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor |
| Drain-Source Spannung | 1.2kV |
| Drainstrom | 12A |
| Gehäuse | ISOTOP |
| Elektrische Montage | schraubbar |
| Polarisierung | unipolar |
| Widerstand im Leitungszustand | 580mΩ |
| Drainstrom im Impuls | 104A |
| Verlustleistung | 545W |
| Technologie | POWER MOS 8® |
| Kanal-Art | stark |
| Gate-Source Spannung | ±30V |
| Mechanische Montage | schraubbar |