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MOSFET-Transistormodule

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Modul einzelner Transistor 1,2kV 20A SOT227B Ugs ±40V 595W

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Code: TMEIXFN20N120P
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Hersteller: IXYS

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Modul einzelner Transistor 1,2kV 20A SOT227B Ugs ±40V 595W - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiterseinzelner Transistor
Drain-Source Spannung1.2kV
Drainstrom20A
GehäuseSOT227B
Elektrische Montageschraubbar
Polarisierungunipolar
Widerstand im Leitungszustand570mΩ
Drainstrom im Impuls50A
Verlustleistung595W
TechnologieHiPerFET™
TechnologiePolar™
Kanal-Artstark
Gate-Ladung193nC
Bereitschaftszeit300ns
Gate-Source Spannung±40V
Mechanische Montageschraubbar