GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
| Einheiten auf Lager i | 232 Menge |
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| Strichcode: | |
| Code: | TMEIXFN360N10T |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | IXYS |
Modul einzelner Transistor 100V 360A SOT227B Ugs ±30V 830W - Produkt beschreibung
| Hersteller | IXYS |
|---|---|
| Modul-Typ | Bipolartransistor, MOSFET |
| Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor |
| Drain-Source Spannung | 100V |
| Drainstrom | 360A |
| Gehäuse | SOT227B |
| Elektrische Montage | schraubbar |
| Polarisierung | unipolar |
| Widerstand im Leitungszustand | 2.6mΩ |
| Drainstrom im Impuls | 900A |
| Verlustleistung | 830W |
| Technologie | GigaMOS™ |
| Technologie | HiPerFET™ |
| Kanal-Art | stark |
| Gate-Ladung | 525nC |
| Bereitschaftszeit | 130ns |
| Gate-Source Spannung | ±30V |
| Mechanische Montage | schraubbar |