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MOSFET-Transistormodule

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Modul einzelner Transistor 100V 360A SOT227B Ugs ±30V 830W

Einheiten auf Lager i 232 Menge
Strichcode:
Code: TMEIXFN360N10T
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Mindestabnahme: 1
Hersteller: IXYS

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Modul einzelner Transistor 100V 360A SOT227B Ugs ±30V 830W - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiterseinzelner Transistor
Drain-Source Spannung100V
Drainstrom360A
GehäuseSOT227B
Elektrische Montageschraubbar
Polarisierungunipolar
Widerstand im Leitungszustand2.6mΩ
Drainstrom im Impuls900A
Verlustleistung830W
TechnologieGigaMOS™
TechnologieHiPerFET™
Kanal-Artstark
Gate-Ladung525nC
Bereitschaftszeit130ns
Gate-Source Spannung±30V
Mechanische Montageschraubbar