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GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule

MOSFET-Transistormodule

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Modul einzelner Transistor 100V 690A Y3-DCB Ugs ±20V 2,5kW

Verfügbarkeit Verkauf abgeschlossen
Strichcode:
Code: TMEVMO650-01F
Packen:
Mindestabnahme: 1
Hersteller: IXYS

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Produkt beschreibung

Modul einzelner Transistor 100V 690A Y3-DCB Ugs ±20V 2,5kW - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiterseinzelner Transistor
Drain-Source Spannung100V
Drainstrom690A
GehäuseY3-DCB
Elektrische Montageschraubbar
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Polarisierungunipolar
Widerstand im Leitungszustand1.8mΩ
Drainstrom im Impuls2.78kA
Verlustleistung2.5kW
TechnologieHiPerFET™
Kanal-Artstark
Gate-Ladung2.3µC
Bereitschaftszeit300ns
Gate-Source Spannung±20V
Eigenschaften von HalbleiterelementenKelvin Terminal
Mechanische Montageschraubbar