GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
| Verfügbarkeit | Verkauf abgeschlossen |
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| Strichcode: | |
| Code: | TMEVMO650-01F |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | IXYS |
Modul einzelner Transistor 100V 690A Y3-DCB Ugs ±20V 2,5kW - Produkt beschreibung
| Hersteller | IXYS |
|---|---|
| Modul-Typ | Bipolartransistor, MOSFET |
| Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor |
| Drain-Source Spannung | 100V |
| Drainstrom | 690A |
| Gehäuse | Y3-DCB |
| Elektrische Montage | schraubbar |
| Elektrische Montage | Steckverbinder FASTON |
| Polarisierung | unipolar |
| Widerstand im Leitungszustand | 1.8mΩ |
| Drainstrom im Impuls | 2.78kA |
| Verlustleistung | 2.5kW |
| Technologie | HiPerFET™ |
| Kanal-Art | stark |
| Gate-Ladung | 2.3µC |
| Bereitschaftszeit | 300ns |
| Gate-Source Spannung | ±20V |
| Eigenschaften von Halbleiterelementen | Kelvin Terminal |
| Mechanische Montage | schraubbar |