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GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
Modul einzelner Transistor 1kV 160A SP6C Ugs ±30V Idm 860A
| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPTM100UM45FAG |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 3 |
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
|---|---|
| Hersteller: | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Modul einzelner Transistor 1kV 160A SP6C Ugs ±30V Idm 860A - Produkt beschreibung
Hersteller MICROCHIP (MICROSEMI) Modul-Typ Bipolartransistor, MOSFET Struktur des Halbleiters einzelner Transistor Drain-Source Spannung 1kV Drainstrom 160A Gehäuse SP6C Elektrische Montage schraubbar Elektrische Montage Steckverbinder FASTON Widerstand im Leitungszustand 52mΩ Drainstrom im Impuls 860A Verlustleistung 5kW Technologie POWER MOS 7® Gate-Source Spannung ±30V Mechanische Montage schraubbar