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MOSFET-Transistormodule

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Modul einzelner Transistor 1kV 30A SOT227B Ugs ±40V Idm 70A

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Code: TMEIXTN30N100L
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Hersteller: IXYS

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Modul einzelner Transistor 1kV 30A SOT227B Ugs ±40V Idm 70A - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiterseinzelner Transistor
Drain-Source Spannung1kV
Drainstrom30A
GehäuseSOT227B
Elektrische Montageschraubbar
Polarisierungunipolar
Widerstand im Leitungszustand450mΩ
Drainstrom im Impuls70A
Verlustleistung800W
TechnologieLinear™
Kanal-Artstark
Gate-Ladung545nC
Bereitschaftszeit1µs
Gate-Source Spannung±40V
Mechanische Montageschraubbar