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MOSFET-Transistormodule

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Modul einzelner Transistor 200V 100A SOT227B Ugs ±30V 735W

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Code: TMEIXTN110N20L2
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Modul einzelner Transistor 200V 100A SOT227B Ugs ±30V 735W - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiterseinzelner Transistor
Drain-Source Spannung200V
Drainstrom100A
GehäuseSOT227B
Elektrische Montageschraubbar
Polarisierungunipolar
Widerstand im Leitungszustand24mΩ
Drainstrom im Impuls275A
Verlustleistung735W
TechnologieLinear L2™
Kanal-Artstark
Gate-Ladung500nC
Bereitschaftszeit420ns
Gate-Source Spannung±30V
Mechanische Montageschraubbar