Inhalt Warenkorb

Inhalt Warenkorb

Einloggen in Shop

MOSFET-Transistormodule

MOSFET-Transistormodule

GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule


Modul einzelner Transistor 200V 160A SOT227B Ugs ±30V 390W

Strichcode:
Code: TMEIXFN220N20X3
Packen:
Mindestabnahme: 1
Einheiten auf Lager 1 Menge
Hersteller: IXYS

Menge

Menge 30+ ks Mehr
Einzelpreis €32.17 Fragen Sie nach Preis

Versandkosten


€33.3 Preis ohne Mehrwertsteuer

Wählen Sie das Transport (Preis inkl. transportieren)

Modul einzelner Transistor 200V 160A SOT227B Ugs ±30V 390W - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiterseinzelner Transistor
Drain-Source Spannung200V
Drainstrom160A
GehäuseSOT227B
Elektrische Montageschraubbar
Polarisierungunipolar
Widerstand im Leitungszustand6.2mΩ
Drainstrom im Impuls500A
Verlustleistung390W
TechnologieHiPerFET™
TechnologieX3-Class
Kanal-Artstark
Gate-Ladung204nC
Bereitschaftszeit128ns
Gate-Source Spannung±30V
Mechanische Montageschraubbar