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MOSFET-Transistormodule

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Modul einzelner Transistor 200V 188A SOT227B Ugs ±30V 1070W

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Strichcode:
Code: TMEIXFN210N20P
Packen:
Mindestabnahme: 1
Hersteller: IXYS

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Modul einzelner Transistor 200V 188A SOT227B Ugs ±30V 1070W - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiterseinzelner Transistor
Drain-Source Spannung200V
Drainstrom188A
GehäuseSOT227B
Elektrische Montageschraubbar
Polarisierungunipolar
Widerstand im Leitungszustand10.5mΩ
Drainstrom im Impuls600A
Verlustleistung1070W
TechnologieHiPerFET™
TechnologiePolar™
Kanal-Artstark
Gate-Ladung255nC
Bereitschaftszeit200ns
Gate-Source Spannung±30V
Mechanische Montageschraubbar