GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
| Einheiten auf Lager i | 121 Menge |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMEIXFN210N20P |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | IXYS |
Modul einzelner Transistor 200V 188A SOT227B Ugs ±30V 1070W - Produkt beschreibung
| Hersteller | IXYS |
|---|---|
| Modul-Typ | Bipolartransistor, MOSFET |
| Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor |
| Drain-Source Spannung | 200V |
| Drainstrom | 188A |
| Gehäuse | SOT227B |
| Elektrische Montage | schraubbar |
| Polarisierung | unipolar |
| Widerstand im Leitungszustand | 10.5mΩ |
| Drainstrom im Impuls | 600A |
| Verlustleistung | 1070W |
| Technologie | HiPerFET™ |
| Technologie | Polar™ |
| Kanal-Art | stark |
| Gate-Ladung | 255nC |
| Bereitschaftszeit | 200ns |
| Gate-Source Spannung | ±30V |
| Mechanische Montage | schraubbar |