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MOSFET-Transistormodule

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Modul einzelner Transistor 250V 120A SOT227B Ugs ±30V 690W

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Code: TMEIXFN140N25T
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Hersteller: IXYS

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Modul einzelner Transistor 250V 120A SOT227B Ugs ±30V 690W - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiterseinzelner Transistor
Drain-Source Spannung250V
Drainstrom120A
GehäuseSOT227B
Elektrische Montageschraubbar
Polarisierungunipolar
Widerstand im Leitungszustand17mΩ
Drainstrom im Impuls400A
Verlustleistung690W
TechnologieGigaMOS™
TechnologieHiPerFET™
Kanal-Artstark
Gate-Ladung255nC
Bereitschaftszeit200ns
Gate-Source Spannung±30V
Mechanische Montageschraubbar