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MOSFET-Transistormodule

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Modul einzelner Transistor 300V 138A SOT227B Ugs ±30V 890W

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Code: TMEIXFN170N30P
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Hersteller: IXYS

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Modul einzelner Transistor 300V 138A SOT227B Ugs ±30V 890W - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiterseinzelner Transistor
Drain-Source Spannung300V
Drainstrom138A
GehäuseSOT227B
Elektrische Montageschraubbar
Polarisierungunipolar
Widerstand im Leitungszustand18mΩ
Drainstrom im Impuls500A
Verlustleistung890W
TechnologieHiPerFET™
TechnologiePolar™
Kanal-Artstark
Gate-Ladung258nC
Bereitschaftszeit200ns
Gate-Source Spannung±30V
Mechanische Montageschraubbar