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MOSFET-Transistormodule

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Modul einzelner Transistor 300V 80A SOT227B Ugs ±30V 735W

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Code: TMEIXTN80N30L2
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Modul einzelner Transistor 300V 80A SOT227B Ugs ±30V 735W - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiterseinzelner Transistor
Drain-Source Spannung300V
Drainstrom80A
GehäuseSOT227B
Elektrische Montageschraubbar
Polarisierungunipolar
Widerstand im Leitungszustand38mΩ
Drainstrom im Impuls200A
Verlustleistung735W
TechnologieLinear L2™
Kanal-Artstark
Gate-Ladung660nC
Bereitschaftszeit485ns
Gate-Source Spannung±30V
Mechanische Montageschraubbar