GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
|---|---|
| Strichcode: | |
| Code: | TMEIXTN80N30L2 |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | IXYS |
Modul einzelner Transistor 300V 80A SOT227B Ugs ±30V 735W - Produkt beschreibung
| Hersteller | IXYS |
|---|---|
| Modul-Typ | Bipolartransistor, MOSFET |
| Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor |
| Drain-Source Spannung | 300V |
| Drainstrom | 80A |
| Gehäuse | SOT227B |
| Elektrische Montage | schraubbar |
| Polarisierung | unipolar |
| Widerstand im Leitungszustand | 38mΩ |
| Drainstrom im Impuls | 200A |
| Verlustleistung | 735W |
| Technologie | Linear L2™ |
| Kanal-Art | stark |
| Gate-Ladung | 660nC |
| Bereitschaftszeit | 485ns |
| Gate-Source Spannung | ±30V |
| Mechanische Montage | schraubbar |