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MOSFET-Transistormodule

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Modul einzelner Transistor 300V 86A SOT227B Ugs ±30V 570W

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Code: TMEIXFN102N30P
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Modul einzelner Transistor 300V 86A SOT227B Ugs ±30V 570W - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiterseinzelner Transistor
Drain-Source Spannung300V
Drainstrom86A
GehäuseSOT227B
Elektrische Montageschraubbar
Polarisierungunipolar
Widerstand im Leitungszustand33mΩ
Drainstrom im Impuls250A
Verlustleistung570W
TechnologieHiPerFET™
TechnologiePolar™
Kanal-Artstark
Gate-Ladung224nC
Bereitschaftszeit200ns
Gate-Source Spannung±30V
Mechanische Montageschraubbar