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MOSFET-Transistormodule

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Modul einzelner Transistor 500V 371A SP6C Ugs ±30V Idm 1988A

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Code: TMEAPTM50UM09FAG
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Modul einzelner Transistor 500V 371A SP6C Ugs ±30V Idm 1988A - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiterseinzelner Transistor
Drain-Source Spannung500V
Drainstrom371A
GehäuseSP6C
Elektrische Montageschraubbar
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Widerstand im Leitungszustand10mΩ
Drainstrom im Impuls1988A
Verlustleistung5kW
TechnologieFREDFET
TechnologiePOWER MOS 7®
Gate-Source Spannung±30V
Mechanische Montageschraubbar