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MOSFET-Transistormodule

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Modul einzelner Transistor 600V 66A SOT227B Ugs ±40V 960W

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Code: TMEIXFN80N60P3
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Modul einzelner Transistor 600V 66A SOT227B Ugs ±40V 960W - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiterseinzelner Transistor
Drain-Source Spannung600V
Drainstrom66A
GehäuseSOT227B
Elektrische Montageschraubbar
Polarisierungunipolar
Widerstand im Leitungszustand77mΩ
Drainstrom im Impuls200A
Verlustleistung960W
TechnologieHiPerFET™
TechnologiePolar3™
Kanal-Artstark
Gate-Ladung190nC
Bereitschaftszeit250ns
Gate-Source Spannung±40V
Mechanische Montageschraubbar