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MOSFET-Transistormodule

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Modul einzelner Transistor 600V 72A SOT227B Ugs ±40V 1040W

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Code: TMEIXFN82N60P
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Modul einzelner Transistor 600V 72A SOT227B Ugs ±40V 1040W - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiterseinzelner Transistor
Drain-Source Spannung600V
Drainstrom72A
GehäuseSOT227B
Elektrische Montageschraubbar
Polarisierungunipolar
Widerstand im Leitungszustand75mΩ
Drainstrom im Impuls200A
Verlustleistung1040W
TechnologieHiPerFET™
TechnologiePolar™
Kanal-Artstark
Gate-Ladung240nC
Bereitschaftszeit200ns
Gate-Source Spannung±40V
Mechanische Montageschraubbar