GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
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| Strichcode: | |
| Code: | TMEIXFN62N80Q3 |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | IXYS |
Modul einzelner Transistor 800V 49A SOT227B Ugs ±40V 960W - Produkt beschreibung
| Hersteller | IXYS |
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| Modul-Typ | Bipolartransistor, MOSFET |
| Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor |
| Drain-Source Spannung | 800V |
| Drainstrom | 49A |
| Gehäuse | SOT227B |
| Elektrische Montage | schraubbar |
| Polarisierung | unipolar |
| Widerstand im Leitungszustand | 140mΩ |
| Drainstrom im Impuls | 180A |
| Verlustleistung | 960W |
| Technologie | HiPerFET™ |
| Technologie | Q3-Class |
| Kanal-Art | stark |
| Gate-Ladung | 270nC |
| Bereitschaftszeit | 300ns |
| Gate-Source Spannung | ±40V |
| Mechanische Montage | schraubbar |