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MOSFET-Transistormodule

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Modul einzelner Transistor 800V 49A SOT227B Ugs ±40V 960W

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Code: TMEIXFN62N80Q3
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Hersteller: IXYS

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Modul einzelner Transistor 800V 49A SOT227B Ugs ±40V 960W - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiterseinzelner Transistor
Drain-Source Spannung800V
Drainstrom49A
GehäuseSOT227B
Elektrische Montageschraubbar
Polarisierungunipolar
Widerstand im Leitungszustand140mΩ
Drainstrom im Impuls180A
Verlustleistung960W
TechnologieHiPerFET™
TechnologieQ3-Class
Kanal-Artstark
Gate-Ladung270nC
Bereitschaftszeit300ns
Gate-Source Spannung±40V
Mechanische Montageschraubbar