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MOSFET-Transistormodule

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Modul einzelner Transistor 800V 53A SOT227B Ugs ±30V 1040W

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Code: TMEIXFN60N80P
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Hersteller: IXYS

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Modul einzelner Transistor 800V 53A SOT227B Ugs ±30V 1040W - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiterseinzelner Transistor
Drain-Source Spannung800V
Drainstrom53A
GehäuseSOT227B
Elektrische Montageschraubbar
Polarisierungunipolar
Widerstand im Leitungszustand140mΩ
Drainstrom im Impuls150A
Verlustleistung1040W
TechnologieHiPerFET™
TechnologiePolar™
Kanal-Artstark
Gate-Ladung250nC
Bereitschaftszeit250ns
Gate-Source Spannung±30V
Mechanische Montageschraubbar