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MOSFET-Transistormodule

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Modul einzelner Transistor 850V 65A SOT227B Ugs ±40V 830W

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Code: TMEIXFN66N85X
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Hersteller: IXYS

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Modul einzelner Transistor 850V 65A SOT227B Ugs ±40V 830W - Produkt beschreibung

HerstellerIXYS
Modul-TypBipolartransistor, MOSFET
Struktur des Halbleiterseinzelner Transistor
Drain-Source Spannung850V
Drainstrom65A
GehäuseSOT227B
Elektrische Montageschraubbar
Polarisierungunipolar
Widerstand im Leitungszustand65mΩ
Drainstrom im Impuls140A
Verlustleistung830W
TechnologieHiPerFET™
TechnologieX-Class
Kanal-Artstark
Gate-Ladung230nC
Bereitschaftszeit250ns
Gate-Source Spannung±40V
Mechanische Montageschraubbar