GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
| Verfügbarkeit | Nur auf Bestellung |
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| Strichcode: | |
| Code: | TMEIXFN66N85X |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Hersteller: | IXYS |
Modul einzelner Transistor 850V 65A SOT227B Ugs ±40V 830W - Produkt beschreibung
| Hersteller | IXYS |
|---|---|
| Modul-Typ | Bipolartransistor, MOSFET |
| Struktur des Halbleiters | einzelner Transistor |
| Drain-Source Spannung | 850V |
| Drainstrom | 65A |
| Gehäuse | SOT227B |
| Elektrische Montage | schraubbar |
| Polarisierung | unipolar |
| Widerstand im Leitungszustand | 65mΩ |
| Drainstrom im Impuls | 140A |
| Verlustleistung | 830W |
| Technologie | HiPerFET™ |
| Technologie | X-Class |
| Kanal-Art | stark |
| Gate-Ladung | 230nC |
| Bereitschaftszeit | 250ns |
| Gate-Source Spannung | ±40V |
| Mechanische Montage | schraubbar |