- Batterien und Akkumulatoren
- Stromversorgungen
- Kabel und Steckverbinder
- Solartechnik
- Reduktoren und Konverter
- Werkzeuge, Werkzeug
- GSM-Verstärker
- Sicherheitstechnik
- Mobiles Zubehör
- Computerzubehör
-
Elektronische Komponenten
- Widerstände
- Kondensatoren
- Induktivitäten-Drosseln
- Komponenten zur Herstellung von Spulen
- Kristalle, Oszillatoren, Resonatoren
- Frequenzfilter
- Stifte, Ösen, Hülsen
- Sicherungen, Überspannungsschutz
- Transformatoren
- Dioden, Gleichrichterbrücken
- Transistoren
- Thyristoren, Triacs, Diacs
- Integrierte Schaltkreise
- Sensoren für nichtelektrische Größen
- Optoelektronische Bauelemente
- Displays, Touchscreens
- Akustische Wandler, Lautsprecher
- Ventilatoren
- Kühler, Peltier-Elemente
- Motoren, Servomechanismen
- Relais, Schütze und magnetische Kontakte
- Mechanische Schaltelemente
- Steckverbinder, Reduzierstücke
- Klemmleiste
- Leiter und Kabel
- Mechanische Konstruktionskomponenten
- Konstruktionsboxen und -kästen
- Zweckgebundene Konstruktionsmodule
- Programmiergeräte, EPROM-Löschgeräte
- Diskrete Halbleitermodule
- Zubehör für Halbleiter
- Hochspannungsgeneratoren
- Kühl- und Heizsysteme
- Krab. für Versorgungseinr. und Sensoren.
- Encoder
- Komponenten für EMI/EMC
- Einplatinencomputer
- Zubehör für Embedded-Systeme.
- Elektroinstallations material
- Bergbau
- Chemie-Leiterplatten (Leiterplatten mit doppelseitigem Druck)
- Spielzeug, Baukästen
- Messgeräte
- Beleuchtungstechnik
- Zuhause, Büro
- Schutzausrüstung
- Mechanische Elemente
- Automationstechnik
- Robotik
- Die Anderen
- Ausverkauf
Inhalt Warenkorb
GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Diskrete Halbleitermodule » MOSFET-Transistormodule
Modul einzelner Transistor 300V 130A ISOTOP Ugs ±30V 700W
| Strichcode: | |
| Code: | TMEAPT30M19JVFR |
| Packen: | |
| Mindestabnahme: | 1 |
| Einheiten auf Lager | 1 Menge |
|---|---|
| Hersteller: | MICROSEMI |
Modul einzelner Transistor 300V 130A ISOTOP Ugs ±30V 700W - Produkt beschreibung
Hersteller MICROCHIP (MICROSEMI) Modul-Typ Bipolartransistor, MOSFET Struktur des Halbleiters einzelner Transistor Drain-Source Spannung 300V Drainstrom 130A Gehäuse ISOTOP Elektrische Montage schraubbar Polarisierung unipolar Widerstand im Leitungszustand 19mΩ Drainstrom im Impuls 520A Verlustleistung 700W Technologie POWER MOS V® Kanal-Art stark Gate-Source Spannung ±30V Mechanische Montage schraubbar