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IGBT-Transistoren

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Modul IGBT Diode/Transistor IGBT Halbbrücke Urmax 1,2kV

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Code: TMESKM200GBD126D
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Hersteller: SEMIKRON

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Modul IGBT Diode/Transistor IGBT Halbbrücke Urmax 1,2kV - Produkt beschreibung

HerstellerSEMIKRON
Modul-TypIGBT
Struktur des HalbleitersDiode/Transistor
TopologieIGBT Halbbrücke
Rückspannung max.1.2kV
Kollektor-Emitter-Strom186A
GehäuseSEMITRANS3
AnwendungFrequenzwandler
AnwendungWechselrichter
Elektrische Montageschraubbar
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls414A
Mechanische Montageschraubbar