Inhalt Warenkorb

Inhalt Warenkorb

Einloggen in Shop

IGBT-Transistoren

IGBT-Transistoren

GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » IGBT-Transistoren


Modul IGBT Transistor/Transistor 3-phasen Brücke IGBT Ic 27A

Einheiten auf Lager i 3 Menge
Strichcode:
Code: TMESKM25GD125D
Packen:
Mindestabnahme: 1
Hersteller: SEMIKRON

€218.3 (Preis inkl. gesetzl. MwSt.)
€180.42 Preis ohne Mehrwertsteuer

Wählen Sie das Transport (Preis inkl. transportieren)

Staffelpreise

Menge 3+ ks Mehr
Einzelpreis €170.68 Fragen Sie nach Preis

Menge

Mindestabnahme: 1


Versandkosten

Produkt beschreibung

Modul IGBT Transistor/Transistor 3-phasen Brücke IGBT Ic 27A - Produkt beschreibung

HerstellerSEMIKRON
Modul-TypIGBT
Struktur des HalbleitersTransistor/Transistor
Topologie3-phasen Brücke IGBT
Rückspannung max.1.2kV
Kollektor-Emitter-Strom27A
GehäuseSEMITRANS6
AusführungD67
AnwendungFrequenzwandler
AnwendungWechselrichter
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls50A
Mechanische Montageschraubbar