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IGBT-Transistoren

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Modul IGBT Diode/Transistor boost chopper Urmax 1,2kV

Einheiten auf Lager i 13 Menge
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Code: TMESKM300GAL12E4
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Mindestabnahme: 1
Hersteller: SEMIKRON

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Produkt beschreibung

Modul IGBT Diode/Transistor boost chopper Urmax 1,2kV - Produkt beschreibung

HerstellerSEMIKRON
Modul-TypIGBT
Struktur des HalbleitersDiode/Transistor
Topologieboost chopper
Rückspannung max.1.2kV
Kollektor-Emitter-Strom324A
GehäuseSEMITRANS3
AnwendungFrequenzwandler
AnwendungWechselrichter
Elektrische Montageschraubbar
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls900A
Mechanische Montageschraubbar