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IGBT-Module

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Modul IGBT Diode/Transistor 1-Phasendiodenbrücke,Brücke H

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
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Code: TMEAPTGT50H60RT3G
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Modul IGBT Diode/Transistor 1-Phasendiodenbrücke,Brücke H - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypIGBT
Struktur des HalbleitersDiode/Transistor
Topologie1-Phasendiodenbrücke
TopologieBrücke H
TopologieNTC Thermistor
Rückspannung max.600V
Kollektor-Emitter-Strom50A
GehäuseSP3F
AnwendungPhotovoltaik
Elektrische MontagePress-in PCB
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls100A
TechnologieField Stop
TechnologieTrench
Mechanische Montageschraubbar