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IGBT-Module

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Modul IGBT Diode/Transistor 1-Phasendiodenbrücke Urmax 600V

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Code: TMESKIIP02NEC066V3
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Hersteller: SEMIKRON

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Modul IGBT Diode/Transistor 1-Phasendiodenbrücke Urmax 600V - Produkt beschreibung

HerstellerSEMIKRON
Modul-TypIGBT
Struktur des HalbleitersDiode/Transistor
Topologie1-Phasendiodenbrücke
Topologie3-phasen Brücke IGBT
TopologieNTC Thermistor
Rückspannung max.600V
Kollektor-Emitter-Strom10A
Leistung2.2kW
GehäuseMiniSKiiP® 0
AnwendungFrequenzwandler
AnwendungWechselrichter
Elektrische MontagePress-Fit
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls20A
Mechanische Montageschraubbar