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IGBT-Transistoren

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Modul IGBT Diode/Transistor 3-Level 1-Phasen Wechselrichter

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Strichcode:
Code: TMEAPTGT20TL601G
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Mindestabnahme: 19
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Produkt beschreibung

Modul IGBT Diode/Transistor 3-Level 1-Phasen Wechselrichter - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypIGBT
Struktur des HalbleitersDiode/Transistor
Topologie3-Level 1-Phasen Wechselrichter
Rückspannung max.600V
Kollektor-Emitter-Strom20A
GehäuseSP1
AnwendungPhotovoltaik
Elektrische MontagePress-in PCB
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls40A
TechnologieField Stop
TechnologieTrench
Mechanische Montageschraubbar