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IGBT-Transistoren

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Modul IGBT Diode/Transistor 3-Level 1-Phasen Wechselrichter

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Code: TMEAPTGT300TL60G
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Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

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Produkt beschreibung

Modul IGBT Diode/Transistor 3-Level 1-Phasen Wechselrichter - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypIGBT
Struktur des HalbleitersDiode/Transistor
Topologie3-Level 1-Phasen Wechselrichter
Rückspannung max.600V
Kollektor-Emitter-Strom300A
GehäuseSP6C
AnwendungPhotovoltaik
Elektrische Montageschraubbar
Elektrische MontageSteckverbinder FASTON
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls600A
TechnologieField Stop
TechnologieTrench
Mechanische Montageschraubbar