Inhalt Warenkorb

Inhalt Warenkorb

Einloggen in Shop

IGBT-Transistoren

IGBT-Transistoren

GSMCentrum.CZ » Elektronische Komponenten » Transistoren » IGBT-Transistoren


Modul IGBT Diode/Transistor 3-Level 1-Phasen Wechselrichter

Verfügbarkeit Nur auf Bestellung
Strichcode:
Code: TMEAPTGL60TL120T3G
Packen:
Mindestabnahme: 11
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI)

€118 (Preis inkl. gesetzl. MwSt.)
€97.52 Preis ohne Mehrwertsteuer

Wählen Sie das Transport (Preis inkl. transportieren)

Staffelpreise

Menge 11+ ks Mehr
Einzelpreis €97.52 Fragen Sie nach Preis

Menge

Mindestabnahme: 11


Versandkosten

Produkt beschreibung

Modul IGBT Diode/Transistor 3-Level 1-Phasen Wechselrichter - Produkt beschreibung

HerstellerMICROCHIP (MICROSEMI)
Modul-TypIGBT
Struktur des HalbleitersDiode/Transistor
Topologie3-Level 1-Phasen Wechselrichter
TopologieNTC Thermistor
Rückspannung max.1.2kV
Kollektor-Emitter-Strom60A
GehäuseSP3F
AnwendungPhotovoltaik
Elektrische MontagePress-in PCB
Gate - Emitter Spannung±20V
Kollektorstrom im Impuls100A
TechnologieField Stop
TechnologieTrench
Mechanische Montageschraubbar